[시사오늘·시사ON·시사온= 한설희 기자]

삼성전자는 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단 ‘14나노 D램’ 양산에 돌입했다고 12일 밝혔다. 

EUV 멀티레이어 공정으로 14나노 D램을 구현하는 것은 전 세계에서 삼성전자가 유일하다. 앞서 삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. 

삼성전자는 반도체 회로를 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용, D램 성능과 수율을 향상시키고 있다. 삼성전자 관계자는 “14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획”이라고 설명했다. 

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도가 구현됐다. 이전 세대 대비 생산성과 소비전력도 약 20% 개선됐다. 

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용할 계획이다.

차세대 D램 규격인 DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠르다. 최근 인공지능·머신러닝 등 데이터를 이용 방식이 고도화 되면서, △데이터센터 △슈퍼컴퓨터 △기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 높아지고 있다. 

삼성전자는 14나노 공정과 EUV 공정기술력을 기반으로 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 방침이다. 또한 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정을 통해 단일 칩 최대 용량 24Gb D램까지 양산할 전망이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량, 고성능뿐 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 전했다.