삼성전자, 12나노공정 적용한 첫 16Gb D램 개발
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삼성전자, 12나노공정 적용한 첫 16Gb D램 개발
  • 한설희 기자
  • 승인 2022.12.21 11:00
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전작比 소비전력 23%↓, 생산성 20%↑…2023년 양산 돌입

[시사오늘·시사ON·시사온= 한설희 기자]

삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 완료했다고 21일 밝혔다. ⓒ사진제공 = 삼성전자
삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 완료했다고 21일 밝혔다. ⓒ사진제공 = 삼성전자

삼성전자는 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 완료했다고 21일 밝혔다. 

신제품은 유전율(K)이 높은 신소재가 적용돼 전하를 저장하는 ‘커패시터’(Capacitor)의 용량을 높인 게 특징으로, 회로 특성을 개선할 수 있는 설계를 통해 업계 최선단 공정으로 완성됐다. 또한 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 제품을 개발, 이전 세대 제품 대비 생산성을 약 20% 향상했다는 게 삼성전자의 설명이다.

또한 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원하면서도 전작 대비 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 도움이 될 것이라고 부연했다.

삼성전자는 향후 12나노급 D램 라인업을 확대하고, △데이터센터 △인공지능 △차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 또한 오는 2023년부터 이를 양산해 글로벌 IT기업들과 차세대 D램 시장을 견인한다는 방침이다. 

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·AI·차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 전했다.
 

담당업무 : 통신 및 전기전자 담당합니다.
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