[특징주] 삼성전자, 경쟁사 대비 압도적 기술 격차 확인
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[특징주] 삼성전자, 경쟁사 대비 압도적 기술 격차 확인
  • 임영빈 기자
  • 승인 2018.11.12 09:38
  • 댓글 0
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10월 미국 ‘삼성 테크데이’에서 EUV·6세대 NAND·QLC 등 신기술 공개

(시사오늘, 시사ON, 시사온=임영빈 기자)

▲ 지난 3개월 내 삼성전자 주가 변동현황 차트 ⓒ네이버금융 캡쳐

삼성전자가 지난 10월 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 테크데이’를 개최했다. NH투자증권은 이번 행사를 통해 공개된 EUV, 6세대 NAND, QLC 등 신기술이 경쟁사들과의 격차를 확대시킬 수 있으며 2019년부터는 간격을 더욱 넓힐 수 있을 것이라 전망했다.

12일 삼성전자는 전 거래일(4만 4300원)보다 500원(1.13%) 하락한 4만 3800원에 장 시작해 오전 9시 36분 현재 전일 대비 150원(0.34%) 오른 4만 4450원에 거래되고 있다.

NH투자증권은 삼성전자의 전략을 ‘초격차’라고 요약·정의했다. 경쟁사와 비교 불가한 절대적 기술 우위로 경쟁력을 높이겠다는 것을 의미한다.

10월 미국행사에서 선보인 대표적 신기술로는 △EUV DRAM 적용 △싱글 스태킹 128단 3D NAND △내구성 높은 QLC SSD 등이다.

우선, 삼성전자는 파운드리 부문에서 EUV를 적용한 7nm LPP 공정 웨이퍼 생산을 세계 최초로 시작했다. NH투자증권은 차세대 5nm 공정에서 삼성전자의 EUV 기술력이 빛을 발할 것이라고 예상했다.

아울러 삼성전자의 EUV는 DRAM 1ynm(10나노 중후반)에도 시험 적용될 전망이며 1znm(10나노 중반) 이후 EUV 장비 컨트롤 능력이 높은 업체와 그렇지 못한 업체 간 기술력 차이가 벌어질 것이라고 덧붙엿다.

삼성전자는 6세대 3D NAND를 공개함으로써 92단에 이어 128단도 싱글 스태킹으로 구현했음을 시장에 각인시켰다. NH투자증권은 단수가 올라갈수록 싱글 스태킹과 더블 스태킹 간 제조 단가와 내구성 차이가 확대되기 때문에 최근 수익성이 줄기 시작한 NAND 사업에서 삼성전자의 경쟁력이 돋보일 것으로 추정했다.

마지막으로 QLC의 경우, 현재 주력 TLC 대비 30% 생산성이 높으나 낮은 내구성이 약점으로 지목되며 3D NAND의 단수가 올라가면 내구성은 더 낮아진다. NH투자증권은 삼성전자의 92단 3D NAND의 막질 균일도는 경쟁사 대비 크게 높으며 QLC 구현 시 경쟁사의 TLC와 비교할 수 있는 내구성을 획득할 수 있다고 분석했다.

NH투자증권 도현우 연구원은 삼성전자에 대해 “투자의견 매수(Buy), 목표주가 6만 원을 유지한다”라며 “최근 공개한 파운드리, 메모리 기술을 봤을 때 경쟁사와 기술력 격차가 2019년부터 확대될 것”이라고 전했다.

담당업무 : 국회 정무위(증권,보험,카드)를 담당합니다.
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