SK하이닉스, 제4회 혁신특허포상…D램 성능·불량률 개선 성과

[시사오늘·시사ON·시사온= 한설희 기자]

SK하이닉스는 이틀간 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 김윤욱 SK하이닉스 지속경영담당 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 참석한 가운데 지난 23과 24일 양일간 진행됐다. 

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건이다. D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램 개발 이강설·김용미 TL, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 금상을 수상했다.

이밖에도 SK하이닉스는 △낸드 △CIS △P&T 등 다양한 기술과 관련된 혁신특허 총 10건(금상 2건·은상 3건·동상 5건)을 선정하고, 이를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만 원을 수여했다.

SK하이닉스는 지난 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 실시해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 있다. 해당 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정, 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 진행된다. 

한편, SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유하고 있다. 향후 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화할 예정이다.