삼성전자, 업계 최초 HKMG 공정 적용 512GB DDR5 메모리 개발
삼성전자, 업계 최초 HKMG 공정 적용 512GB DDR5 메모리 개발
  • 한설희 기자
  • 승인 2021.03.25 11:00
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기존 공정 대비 전력소모 13%↓…성능은 2배↑

(시사오늘, 시사ON, 시사온= 한설희 기자)

삼성전자는 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트(HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량 512GB의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. ⓒ삼성전자
삼성전자는 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트(HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량 512GB의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. ⓒ삼성전자

삼성전자는 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트(HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량 512GB의 DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다. 

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로 확장될 전망이다. 해당 속도는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도로 추정된다.

삼성전자 관계자는 “신제품은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·전력을 구현했다”며 “차세대 컴퓨팅·대용량 데이터센터·인공지능 등에서 솔루션 역할을 할 것으로 기대한다”고 강조했다. 

새로 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용했다. HKMG가 적용된 신제품은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 장소에서 사용될 것으로 전망된다. 

이번 제품에는 범용 D램 제품 최초로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 사용됐다. 삼성전자 관계자는 “고용량 메모리 시장 확대와 데이터 기반 응용처 확산에 따라, 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다”고 설명했다. 

앞서 삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용, 64GB에서 256GB까지의 모듈 제품을 출시한 바 있다. 

삼성전자는 향후 차세대 컴퓨팅 시장 수요에 따라 적기에 신제품을 상용화할 예정이다.

캐롤린 듀란(Carolyn Duran) 인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 VP는 “처리해야할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터·네트워크·엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다”며 “인텔은 인텔 제온 스케일러블 프로세서인 ‘사파이어 래피즈’와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다”고 밝혔다.

손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 자율주행·스마트시티·의료산업 등으로 활용될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것”이라고 전했다. 

담당업무 : 통신 및 전기전자 담당합니다.
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