삼성전자, 화성 V1라인서 3나노 파운드리 양산 출하식
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삼성전자, 화성 V1라인서 3나노 파운드리 양산 출하식
  • 한설희 기자
  • 승인 2022.07.25 11:04
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MBCFET 독자적 구조 양산…세계 유일 3나노 GAA 파운드리 첫 단추

(시사오늘, 시사ON, 시사온= 한설희 기자)

삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 진행했다고 25일 밝혔다. ⓒ삼성전자 CI
삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 진행했다고 25일 밝혔다. ⓒ삼성전자 CI

삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 진행했다고 밝혔다. 

이날 행사에는 △이창양 산업통상자원부 장관 △경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사 사장을 비롯해 협력사, 팹리스(반도체 설계 전문 기업) 등 관계자 100여 명이 참석했다. 협력사 대표로는 △김영재 대덕전자 대표이사 △이준혁 동진쎄미켐 대표이사 △정현석 솔브레인 대표이사 △김창현 원세미콘 대표이사 △이현덕 원익IPS 대표이사 △이경일 피에스케이 대표이사 △고상걸 케이씨텍 부회장 △이장규 텔레칩스 대표이사 등이 방문했다. 

삼성전자 파운드리 사업부는 “혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다”고 선언하며 3나노 GAA 공정 양산을 통해 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다. 정기태 기술개발실장 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 △파운드리사업부 △반도체연구소 △글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부들간의 긴밀한 협업을 통해 기술개발 한계를 극복한 과정을 설명했다. 

이어 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 강조했다. 

이창양 산자부 장관은 축사를 통해 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”며 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원과 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않겠다”고 화답했다. 

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조를 2000년대 초부터 연구하기 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정을 본격 시작해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

삼성전자는 해당 기술을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용한다는 방침이다. 또한 화성캠퍼스에서 시작한 3나노 양산을 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 계획이다. 

담당업무 : 통신 및 전기전자 담당합니다.
좌우명 : 사랑에 의해 고무되고 지식에 의해 인도되는 삶

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