SK하이닉스도 EUV 활용 시작…10나노급 ‘4세대 D램’ 본격 양산
SK하이닉스도 EUV 활용 시작…10나노급 ‘4세대 D램’ 본격 양산
  • 한설희 기자
  • 승인 2021.07.12 11:25
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전작 대비 생산성 25%↑…EUV 공정 기술 안정성 확보

(시사오늘, 시사ON, 시사온= 한설희 기자)

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 ‘8기가비트(Gbit) LPDDR4 모바일 D램’ 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. ⓒSK하이닉스
SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 ‘8기가비트(Gbit) LPDDR4 모바일 D램’ 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. ⓒSK하이닉스

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 ‘8기가비트(Gbit) LPDDR4 모바일 D램’ 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. 신제품은 올해 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 계획이다.

해당 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV(극자외선 노광 장비) 공정 기술이 적용됐다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

제품은 또한 LPDDR4 모바일 D램 규격 최고 속도(4266Mbps)를 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 절감했다. 저전력을 통해 탄소 배출도 줄였다. 

SK하이닉스는 이번 LPDDR4에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시했던 차세대 D램(DDR5)에도 내년 초부터 1a 기술을 적용할 예정이다.

반도체 공정이 극도로 미세화되면서, 업계는 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 ‘포토 공정’에 EUV 장비를 도입하고 있다. 향후 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는다는 말도 나온다. SK하이닉스 관계자는 “이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다”고 강조했다. 

SK하이닉스는 EUV 도입을 통한 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 이번 1a D램은 이전 세대(1z) 대비 D램 수량이 웨이퍼 한 장당 약 25% 늘어났다. SK하이닉스 관계자는 “올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어났다”며 “글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것”이라고 전망했다. 

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 전했다.

담당업무 : 통신 및 전기전자 담당합니다.
좌우명 : 사랑에 의해 고무되고 지식에 의해 인도되는 삶

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