삼성전자, 3나노 파운드리 양산 시작
스크롤 이동 상태바
삼성전자, 3나노 파운드리 양산 시작
  • 한설희 기자
  • 승인 2022.06.30 11:00
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

GAA 차세대 트랜지스터 기술 최초 상용화
5나노比 전력 45%↓성능 23%↑면적 16%↓

(시사오늘, 시사ON, 시사온= 한설희 기자)

삼성전자는 세계 최초 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. ⓒ삼성전자
삼성전자는 세계 최초 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다. ⓒ삼성전자

삼성전자는 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 30일 밝혔다.

3나노 공정은 반도체 제조 공정 중 가장 최첨단 기술로, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 파운드리 서비스를 제공하는 기업은 삼성전자가 유일하다.

차세대 GAA 기술은 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러싸는 형태다. 채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조 대비 게이트의 면적이 넓어, 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다.

또한 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 독자적 MBCFET GAA 구조도 적용했다. 나노시트의 폭을 조정하면서 채널의 크기도 다양하게 변경할 수 있으며, 기존 핀펫 구조나 일반적인 나노와이어 GAA 구조에 비해 전류를 더 세밀하게 조절 가능해 고성능·저전력 반도체 설계를 지원한다. 

삼성전자는 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산하고, 모바일 SoC 등으로 제품을 확대해 나갈 예정이다.

3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정 대비 △전력 45% 절감 △성능 23% 향상 △면적 16% 축소 등이 특징이다. GAA 2세대 공정은 △전력 50% 절감 △성능 30% 향상 △면적 35% 축소가 예상된다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이-케이 메탈 게이트, 핀펫(FinFET), EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔다”며 “이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다. 앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 전했다. 

한편, 삼성전자는 ‘시높시스’(Synopsys), ‘케이던스’(Cadence) 등 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 함께 3나노 공정 기반으로 반도체 설계 인프라·서비스를 제공할 계획이다. 

담당업무 : 통신 및 전기전자 담당합니다.
좌우명 : 사랑에 의해 고무되고 지식에 의해 인도되는 삶

관련기사

댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.